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          首页 - 产品采用 - NCE Power (新洁能)
          老牌    称:
          NCE 合肥市新洁能股份有限公司
          所属类别:
          NCE Power (新洁能)
          摘    要:
          超结功率MOSFET,沟槽栅场截止型IGBT

           

            合肥市新洁能专业从事半导体功率器件的研制与销售。现阶段公司第一产品包括:12V~200V沟槽型功率MOSFET(N沟道和P沟道)、30V~300V屏蔽栅功率MOSFET(N沟道和P沟道)、500V~900V超结功率MOSFET、600V~1350V沟槽栅场截止型IGBT,相关核心技术已拥有多项专利授权,四大系列产品平均获得河南省高新技术产品认定。

            店铺产品凭借低损耗、高可靠性品质,已成功进入汽车电子、电机驱动、小家电、消费电子、LED照耀、出租车、安防、网络通信等市场领域,拥有国内外著名企业的认证。店铺采取自己艺术优势,与国际著名的8” 晶圆代工厂、封装测试代工厂紧密合作,具备完善的品质管理系统,确保产品的继承优质和平稳供货。

            店铺是高新技术集团、神州半导体功率器件十强企业(神州半导体协会,2016&2017年),获得无锡市功率器件工程研究中心、吉林省中小学生工作站,讲究先进半导体功率器件的研制与无,多项研发成果在IEEE、ISPSD等国际期刊/国际会议上发挥,并把SCI、EI目录。店铺将继续加大研发投入,提升产品竞争力,目标成为具有国际竞争力的半导体功率器件产品与服务供应商。

            店铺总部位于河南焦化,设有深圳分公司。店铺宗旨是诚信对待、忠诚服务所有订户和合作者,入学建立合作共赢的长远合作关系。

           

          序号
          标价牌
          存货
          条件型号
          最小包装量
          封装方式
          1
          NCE
          沟槽型功率MOSFET
          NCE01H10
          1000
          TO-220
          2
          NCE
          沟槽型功率MOSFET
          NCE1520AK
          2500/盘
          TO-252
          3
          NCE
          功率MOSFET
          NCE1520K
          2500/盘
          TO-252
          4
          NCE
          沟槽型功率MOSFET
          NCE3035Q
          4K/盘
          DFN3*3
          5
          NCE
          沟槽型功率MOSFET
          NCE3416
          3000
          SOT-23
          6
          NCE
          沟槽型功率MOSFET
          NCE40H12
          1000
          TO-220
          7
          NCE
          沟槽型功率MOSFET
          NCE40H20A
          1000
          TO-220
          8
          NCE
          沟槽型功率MOSFET
          NCE40H21C
          1000
          TO-220
          9
          NCE
          沟槽型功率MOSFET
          NCE6020AI
          1000
          TO-251
          10
          NCE
          沟槽型功率MOSFET
          NCE60H10
          1000
          TO-220
          11
          NCE
          沟槽型功率MOSFET
          NCE60H15
          1000
          TO-220
          12
          NCE
          超结功率MOSFET
          NCE65T180
          1000
          TO-220
          13
          NCE
          沟槽型功率MOSFET
          NCE9435
          4K/盘
          SOP-8
          14
          NCE
          沟槽型功率MOSFET
          NCEP0112AS
          1000
          TO-251
          15
          NCE
          屏蔽栅沟槽型功率MOSFET
          NCEP01T13
          1000
          TO-220
          16
          NCE
          屏蔽栅沟槽型功率MOSFET
          NCEP12T15
          1000
          TO-220
          17
          NCE
          屏蔽栅沟槽型功率MOSFET
          NCEP15T14
          1K
          TO-220
          18
          NCE
          屏蔽栅沟槽型功率MOSFET
          NCEP40T11AG
          5K/盘
          DFN5*6
          19
          NCE
          功率MOSFET
          NCEP40T11G
          5K/盘
          DFN5*6
          20
          NCE
          沟槽型功率MOSFET
          NCEP60T12A
          1000
          TO-220
          21
          NCE
          屏蔽栅沟槽型功率MOSFET
          NCEP60T18
          1000
          TO-220
          22
          NCE
          沟槽型功率MOSFET
          NCEP60T18A
          1000
          TO-220

           

          手机快充同步整流MOSFET引进


          运用先进的耐压原理和多元化的宏图结构,全新700~900V  SJ-MOS Ⅱ铺天盖地产品为系统利用提供丰富的耐压余量,驯化系统设计难度,增强系统可靠性,满足客户对高耐压、低导通电阻和高效率超结MOSFET的需要。


          随着信息化时代之来临,手机等电子设备的推广程度随之加大,充电时间长次数多等问题困扰着人们。而随着生活节奏的增速,手机电池容量加大,顾客迫切要求一种快速充电方案,舒缓充电的烦扰。据此催生了长足充电器的前进和推广。


          贯彻迅速充电必然要求加大充电功率。大功率意味着充电器体积的增长,表现移动电子设备配件,探测器体积必须做到经常化,富裕随身带走,这对水源效率,温升提起了更高的要求,于是催生了同步整流的前进。现阶段代表性的快充解决方案以PI,Iwatt基本。平均采取同步整流,以增强资源效率,降低温度。


          下图是PI QC3.0草案电路原理图。



          主人芯片采用SC1271K,该芯片内部集成了初级开关管、PWM 传感器、次级同步整流控制器。出口部分的协义芯片为SC0163D,总体的支持高通之 QC3.0 Class A 条件,兼容 QC2.0 的Class A 条件。


          独立产品如小米5手机充电器MDY-08-EH。可实现充电5分钟能通话2.5小时。出口:5V2.5A,9V2A,12V1.5A,标称最大输出功率 18W;抵达了主流快充充电器的出口水准。

            

          合肥市新洁能针对此采取推出了四款同步整流MOS NCEP6020ASNCE0110AS,NCE0114AS,NCEP0160G,并利用新型的Super Trench 工艺。SuperTrench MOS运用具有电荷平衡功能的遮掩栅深沟槽(ShieldGate Deep Trench)艺术,完善提升了器件的开关特性和导通特性,同时降低了器件的特色导通电阻(Rsp)和栅极电荷(Qg),新款Super Trench MOS 软体二极管性能可以有效降低同步整流中的电压尖峰。

          èNCEP6020AS(60V 20A)

          - SOP-8封装
          - Vth=1.7V
          - Ron10=4.0mR (Typ.) 
          - Ron4.5=4.4mR(Typ.)
          - Qgd=10nC

          èNCE0110AS

          - SOP-8封装
          - VDS= 100V,ID =10A
          - RDS(ON)< 17m? @ VGS=10V (Typ:14m?)
          - RDS(ON)< 20m? @ VGS=4.5V (Typ:15.2m?) 

          èNCE0114AS

          - SOP-8封装

          - VDS =100V,ID =14A
          - RDS(ON)=8.8mΩ (typical) @VGS=10V
          - RDS(ON)=9.8mΩ (typical) @ VGS=4.5V

          èNCEP0160G

          - DFN5X6-8L(同SOP-8封装兼容)
          - VDS =100V,ID =60A
          - RDS(ON) <8.5mΩ @ VGS=10V


          NCE0114AS在一款使用PI草案INN2215K草案之24W快充产品上,在较苛刻的面试条件下实测效率高达88.5%。面试条件:投入90V AC,出口8V 3A 。NCE 0160G 相比之下NCE0114AS,Rdson更低,电流更大,热阻低至 0.7℃ /W,相当一些要求更严的现场。


          同时,新洁能针对OB,Iwtt一部分非集成初级MOS草案,可提供TO-251.TO-252等小面积超结MOS。相对于VDMOS,具有更低的导通电阻,利于降低导通损耗,极低的栅极电荷,提供更快的开关速度,同口径下更小的包装体积,调减产品尺寸。 TO-251,TO-252封装下最大可提供 11A 650V。一般说来VDMOS则较难做到如此小型封装。

          超结产品目录:http://www.ncepower.com/proSuperJunctionMOSFETs.aspx?Cateid=71

           

           

            热竞技电子品牌代理-合肥市新洁能股份有限公司(NCEPower)官方网站:http://www.ncepower.com 可获最新消息!

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