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        境内第三世半导体厂商盘点
        来源: 半导体行业观察 日期: 2019-4-22 浏览次数: 812

        面包车电子、5G艺术、新能源汽车、轨道交通等产业之高速发展,增强了电子技术对高温、高功率、高压、高频的器件需求,于是第三世半导体应运而生。先后三世半导体主要包括碳化硅(SiC)、氮化铝(AlN)、氮化镓(GaN)、钻石、氧化锌(ZnO),其中,开拓进取较为成熟的是SiC和GaN。

         

        美丽、日、崔等各个对此进行了主动的战略部署,英飞凌、罗姆、德仪半导体、意法半导体等国际厂商也扰乱开始在先后三世半导体上有所动作,有效第三世半导体材料引发全球瞩目,并成为半导体技术研究前沿和资产竞争焦点。加之,台积电、世界先进、稳懋、X-Fab、汉磊及环宇等一众台系代工厂参与到第三世半导体的前进,逐渐将先后三世半导体推上了C位。

         

        引人注目,我国现行正在大力提高集成电路产业,先后三世半导体作为下一代电子产品的重大材料和部件,翩翩也受到了根本关注。


        政策分析

         

        2015年5月,中科院印发了《神州制造2025》。其中,4先后提起了以水晶、氮化镓为代表的程序三世半导体功率器件。

         

        2018年7月,境内首个《先后三世半导体电力电子技术路线图》专业宣布。挂图主要从衬底/外延/器件、封装/模块、SiC利用、GaN利用等四个地方进行论述,谈起了中国发展第三世半导体电力电子技术之路子建议和对未来产业进步之预测。

         

        到当前结束,境内已有四枝4/6英寸SiC生产/中试线和三枝GaN生产/中试线相继投入运用,并在建多个与程序三世半导体相关的研制中试平台。产业化的单晶衬底、外延片所占市场份额不断壮大,产业化的SiC二极管和Mosfet开头进入市场,国产GaN微波和射频器件在国防和通讯领域发挥主导作用。



        水晶



        根据Yole于2018年发布之《功率碳化硅(SiC)资料、器件和运用-2018版》告知预计,到2023年SiC功率市场价值将超过14京瑞郎,2017年至2023年之复合年增长率(CAGR)名将达到29%。

         

        副产业链角度看,水晶包括单晶衬底、外延片、器件设计、器件制造等环节,但眼下世界碳化硅市场中心被在露天企业所垄断。其中,尤以美国、澳洲、墨西哥为大。比利时居于领导地位,占有全球SiC总量的70%-80%;澳洲拥有完整的SiC衬底、外延、器件以及应用产业链;墨西哥则是设备和模块开发方面的绝对领先者。

         

        这就是说国内碳化硅发展如何?


         

        单晶衬底方面,境内衬底以4英寸为主,现阶段,已经付出出了6英寸导电性SiC衬底和高纯半绝缘SiC衬底。据CASA数量,台湾天岳、远处科合达、河南同光、工体节能均已完成6英寸衬底的研制,美方电科装备研制出6英寸半绝缘衬底。



        台湾天岳



        2017年,台湾天岳自主开发了崭新的高纯半绝缘衬底材料,现阶段量产产品以4英寸为主,另外其4H导电型碳化硅衬底材料产品要紧有2英寸、3英寸、4英寸及6英寸。台湾天岳还独立自主开发了6英寸N型碳化硅衬底材料。

         

        2018年11月13日,远处岳碳化硅材料项目开工活动在济南浏阳高新区举行,该项目的贯彻标志着国内最大的程序三世半导体碳化硅材料项目及一切工艺生产线正式开建。据悉,远处岳碳化硅材料项目由河南天岳晶体材料有限公司开发建设,总投资30亿元,品种分两期建设,一个占地156亩,重大生产碳化硅导电衬底,试想年产值可达13亿元;下期主要生产功能器件,包括电力器件封装、模块及装置,新能源汽车及充电站装置、轨道交通牵引变流器、太阳光伏逆变器等,试想年产值达50京-60亿元,收费可达5京-7亿元。

         


        远处科合达



        截止至2018年7月,,远处科合达已研发出4项产品:4英寸碳化硅晶片生产(6英寸未量产,未雨绸缪当中);水晶单晶生长设备;水晶晶体切割、晶片加工及清晰返抛服务;水晶宝石晶体。

         

        远处科合达总经理杨健说:“当今,远处科合达总共100多台炉子,一年能产2万片4寸导电碳化硅晶片。咱的电能离市场需要还有距离,咱今天的4个大客户需求在20万片。远处科合达正在继续扩张产能,精算扩充3倍。”

         

        2018年10月,远处科合达在天津经开区投资的液氮晶片项目正式签署。

         


        河南同光



        河南同光主要产品包括4英寸和6英寸导电型、半绝缘碳化硅衬底,其中4英寸衬底已赶到世界先进水平。

         

        2017年10月,同光联合清华大学、清华大学宽禁带半导体研究中心、国务院半导体研究所、河南大学共同搭建了“先后三世半导体材料检测平台”,推动了国内第三世半导体产业之前进。

         


        工体节能



        2017年7月,工体节能与深圳莱西市、国宏中晶签订合作协议,入股建设碳化硅长晶生产线项目。该项目总投资10亿元,品种分两期建设,一个投资约5亿元,试想2019年6月建成投产,建成以后可年产5万片4英寸N型碳化硅晶体衬底片和5千片4英寸高密度半绝缘型碳化硅晶体衬底片;下期投资约5亿元,建成以后可年产5万片6英寸N型碳化硅晶体衬底片和5千片4英寸高密度半绝缘型碳化硅晶体衬底片。

         


        Norstel



        Norstel建立于2005年2月,是下硅晶圆片制造商Okmetic Oyj离别出来的集团。位于几内亚Norrköping 的厂子建成于2006年。Norstel运用用低温化学气相沉积(HTCVD)自主经营权技术,生产高质量大尺寸的SiC衬底和外延片。



        外延片方面,境内瀚天天成、东莞天域半导体、百姓技术子公司国民天成均可供应4-6英寸外延片,美方电科13所、55所亦均有内部供应的涵义片生产单位。


        广大天天成



        广大天天成是国内一家专注于碳化硅外延晶片的中美合资高新技术集团。店铺已经形成三英尺四英尺以及六英尺的整体碳化硅半导体外延晶片生产线,并满足600V、1200V、1700V器件制作的需要。店铺也是国内第一师提供专业化6英寸碳化硅外延片的销售商。

         


        东莞天域



        嘉峪关市天域半导体科技有限公司(TYSiC)建立于2009年1月7日,是我国首师正式从事第三世半导体碳化硅外延片研发、生产和行销的高新技术集团。现阶段公司已引进四台世界头号的SiC-CVD及配套检测设备,生长技术已赶到国际先进水平。

         

        2012年天域半导体已落实亩产超2万片3英寸、4英寸碳化硅外延晶片的科学化能力,现阶段可提供6英寸碳化硅外延晶片以及各种单极、双极型SiC功率器件等产品。

         


        百姓技术



        2017年8月15日,百姓技术发布公告,店铺合资子公司国民投资与郑州邛崃市政府签署投资协定,拟以众多于80亿元投建“百姓天成化合物半导体生态产业园”,品种预计三新春具规模,五年实现产能。店铺另拟通过公民投资出资5000万元,与陈亚平艺术团队等合作设立成都人民天成化合物半导体有限公司,振兴和运营6英寸第二代和先后三世半导体集成电路外延片项目,品种首期投资4.5亿元。



        器件/模块/IDM上面,我国在碳化硅器件设计方面有所欠缺,还没有厂商涉及于此。但是在模块、器件制造环节我国已出现了一起可以的集团,包括三安集成、海威华芯、泰科天润、美方车时代、百年金光、芯光润泽、酒泉中心、国扬电子、士兰微、扬杰科技、瞻芯电子、呼和浩特中环、甘肃华功、安阳芯冠、聚力成半导体等。


        三安集成



        2018年12月,三安光电子公司盐城三安集成电路宣布推出6英寸SiC晶圆代工制程。商业版本的6英寸SiC晶圆制造技术之整个工艺鉴定试验已完成并进入到三安集成电路的代工服务组合中。

         


        泰科天润



        泰科天润的根基核心产品以水晶肖特基二极管为代表,产品包含各种封装形式的液氮肖特基二极管、水晶MOSFET和碳化硅模块等,其中600V/5A~50A、1200V/5A~50A和1700V/10A等系列的液氮肖特基二极管产品已纳入批量生产。泰科天润已建成国内第一枝碳化硅器件生产线,SBD产品覆盖600V-3300V的电压范围。

         


        芯光润泽



        2012年,芯光润泽通过引进世界顶尖行业专家,组建碳化硅芯片科研技术团队,并在先后三世半导体方面与西交大、西电等院校成立联合研发中心。2016年12月,芯光润泽第三世半导体碳化硅功率模块产业化项目正式开工建设。

         

        2018年9月,纽约芯光润泽国内首枝碳化硅 IPM产线正式投产,标志着我国在碳化硅芯片这个战略新兴行业又实现了一次重大的打破。

         


        百年金光



        百年金光是一家致力于二世、三世半导体晶体材料、外延器件的研制、生产与销售的高新技术集团。店铺现第一产品为2-4英寸碳化硅单晶片,可满足光电及微波和功率器件使用要求。

         


        酒泉中心



        酒泉中心半导体有限公司(BASiC Semiconductor Ltd.)是华夏第三世半导体行业领军企业,入学碳化硅功率器件的研制与无。基本半导体整合海外创新技术与国内产业资源,对碳化硅器件的素材制备、芯片设计、制造工艺、封装测试、驱动应用等各地方开展研制,覆盖产业链各个环节。基于独有的3D SiCTM艺术,基本半导体碳化硅功率器件性能达到国际先进水平,可广泛应用于新能源发电、新能源汽车、轨道交通和智能电网等世界。

         


        国扬电子



        2016年,位于嘉峪关市库区的广东国扬电子有限公司功率电子产业园项目,10月正式结束投产。据了解,品种分三期实施,2014年投资约0.9亿元,用于建设碳化硅模块项目;2015―2016年投资约9.1亿元,用于建设碳化硅材料、水晶模块扩产及尺寸硅外延项目;2017―2018年投资约10亿元,用于建设大尺寸硅外延扩产项目和射频模块项目。

         


        扬杰科技



        扬杰科技产品包括功率二极管、整流桥、肖特基二极管和mosfet。随着4寸线扩产一倍以及6寸线产点2018年根儿满产,总营收基于出货量稳步提升保持35%的增强速度。2015年3月,扬杰科技与天津电子科技大学签约开展第三世半导体材料与器件的科学化应用研究工作;2015年4月,扬杰科技通过增资和经营权转让方式取得国宇电子38.87%自主经营权,与中国电子科技企业第五十五研究所在碳化硅芯片和模块产品方面建立紧密合作关系。2015年7月,扬杰科技募资1.5亿元用于碳化硅芯片、器件研发及城市化建设项目。

         

        同时公司战略布局8寸线IGBT芯片和IPM模块业务等高利润产品,多产品线协同发展助力公司提升在功率器件市场份额。

         


        瞻芯电子



        2018年5月,贵阳市瞻芯电子称,店铺制作的重大片国产6英寸碳化硅(SiC)MOSFET晶圆正式面世。据介绍,贵阳市瞻芯电子于2017年10月上旬形成工艺流程、器件和领土设计,在10月至12月间形成初步工艺试验,并且附有2017年12月开始正式流片,2018年5月成功地在一枝成熟量产的6英寸工艺生产线上形成碳化硅MOSFET的制作流程。晶圆级测试结果表明,各类电学参数达到预期,为进一步成功工艺和器件设计的多极化奠定了稳固基础。


        氮化镓


        据Yole展望,2016-2020年GaN射频器件市场将扩大至目前的2倍,市场复合年增长率(CAGR)名将达到4%;2020年终,市场规模将扩大至目前的2.5倍。2019-2020年,5G网络的实行将接棒推动GaN市场增长。前途10年,GaN市场将开展超过30京瑞郎。

         

        在GaN的有些,有台积电及世界先进提供GaN-on-Si的代电力务,稳懋则专攻GaN-on-SiC世界瞄准5G驻地台的良机,X-Fab、汉磊及环宇也提供SiC及GaN的代电力务。随着代工业务的带动,先后三世半导体材料的市场规模也将进一步壮大。



        在GaN衬底方面,境内已经小批量生产2英寸衬底,具备4英寸衬底生产能力,并开发出6英寸衬底样品。境内可提供相关产品的集团有:纳维科技、美方镓半导体。



        纳维科技



        曼谷纳维依托中科院苏州纳米所而建。表现中华首师氮化镓衬底晶片供应商, 集团从氮化镓单晶材料气相生长的设施开始研发,逐步研发成功1英寸、2英寸、4英寸、6英寸氮化镓单晶材料,贯彻了氮化镓单晶材料生长的n型掺杂、补掺杂,研制出高电导率的和半绝缘的氮化镓单晶。

         


        美方镓半导体



        美方镓半导体采用MOCVD艺术、闪光剥离技术、HVPE艺术相结合的办法,科研、生产产品包括:GaN半导体衬底材料,包括GaN衬底,GaN/Al₂O₃复合衬底,图表化蓝宝石衬底。

         

        2018年2月初,嘉峪关市中镓半导体科技有限公司氮化镓(GaN)衬底量产技术实现重大突破!境内首创4英寸GaN自支撑衬底的试量产。


        外延环节境内第一的集团有昆明晶湛、海南晶能、安阳芯冠科技、美方晶半导体、耐威科技投资的聚能晶源等。

         


        曼谷晶湛



        曼谷晶湛半导体有限公司致力于为微波射频和金融业电子器件应用领域提供高品质氮化镓外延材料。2013年8月,晶湛初步在维也纳纳米城建设国际先进的GaN外延材料生产线,可年产150mm氮化镓外延片2万片。

         

        2014年根儿广州晶湛在中外第一发布其商品化8英寸硅基氮化镓外延片产品,经有关下游客户验证,该材料具备全球领先的艺术指标和一流的性质,并补充了国内乃至世界氮化镓产业之空白。



        安阳芯冠科技



        安阳芯冠科技有限公司是一家由海外归国团队创立之半导体高科技企业。拓展以氮化镓为代表的程序三世半导体外延材料和电子器件的研制与无。


        店铺获得国际先进的以色列爱思强MOCVD外延炉及外延表征设备、6英寸化合物半导体芯片生产线、晶圆在片检测系统、可靠性测试系统和运用开发体系。在农业电子领域,店铺已落实6英寸650伏硅基氮化镓外延片的量产,并发表了比肩世界先进水平的650伏硅基氮化镓功率器件产品,重大应用于电源管理、太阳能逆变器、机动汽车及林业马达驱动等世界。在微波射频领域,店铺已开展硅基氮化镓外延材料的开支,射频芯片的研制与无准备工作亦已进行,产品稳定为10 GHz以下的射频通讯和射频能量市场。

         


        美方晶半导体



        美方晶半导体主要以HVPE设施等系列精密半导体设备制造技术为支撑,以GaN衬底为基础,关键提高Mini/MicroLED外延、芯片技术,并向新型显示模组方向延展;同时,美方晶半导体将以GaN衬底材料技术为基础,孵化VCSEL、游乐业电子器件、化合物半导体射频器件、车灯封装模组、激光器封装模组等国际前沿技术,并开展全球产业布局。

         


        聚能晶源



        2018 年,耐威科技先后投资举办了聚能晶源、成都聚能创芯微电子有限公司,2018年12月聚能晶源成功研制了 8 英寸硅基氮化镓(GaN-on-Si)外延晶圆。该型外延晶圆在贯彻了 650V/700V 高耐压能力的同时,保持了外延材料的高晶体质量、高均匀性与高可靠性,可以完全满足产业界中高压功率电子器件的利用需求

         

        器件/模块/IDM上面,英诺赛科、华润微、曼谷能讯、甘肃能华、士兰微、甘肃华功半导体、三安集成、海威华芯均已跻身布局。

         


        英诺赛科



        英诺赛科(大同)科技有限公司是2015年12月由海归团队发起,并集合了底数十名国内外精英联合创办的程序三世半导体电力电子器件研发与生产的高科技企业。店铺商业模式采用IDM  全产业链模式,入学打造一个集科研、规划、外延生长、芯片制造、面试与失效分析为一体的程序三世半导体生产平台。

         

        2017年11月英诺赛科之8英寸硅基氮化镓生产线通线投产,成为国内首枝实现量产的8英寸硅基氮化镓生产线。

         

        2018每年中,英诺赛科宽禁带半导体项目在新郑市吴江区召开开工典礼。据悉,该项目总投资60京,占地368亩,建成以后将变成世界头号的集科研、规划、外延生产、芯片制造、分装测试等于一体的程序三世半导体全产业链研发生产平台,补充我国高端半导体器件的家业空白。

         

        英诺赛科CEO孙在亨表示,现阶段,在氮化镓的电子工业器件及射频器件,尤其是硅基氮化镓领域,我国还不能实现产业化。该项目的出生,就是要打破这样的规模、补充我国高端半导体器件的家业空白。同时,该项目也是该领域全球首个巨型量产基地,单月满产可达6-8万片,为5G移动通信、新能源汽车、很快列车、电子信息、飞行航天、水资源互联网等产业之自主创新发展和任何转型升级行业提供先进、迅速、节俭和低成本的主干电子元器件。



        华润微



        华润微规划建设之化合物半导体项目,认清生产线主要是GaN工艺。该项目将分两期实施,其中一个项目投资20亿元,下期投资30亿元。

         

        2017年12月,华润微电子对国航(银川)电子有限公司完成收购,获得8英寸硅基氮化镓生产线,境内首个8英寸600V/10A GaN功率器件产品,用于电源管理。

         


        曼谷能讯



        能讯半导体采用整合设计与制作(IDM)的内涵式,独立自主开发了氮化镓材料生长、芯片设计、晶圆工艺、封装测试、可靠性与使用电路技术。能讯半导体在广西县城国家高新区建成了中国第一师氮化镓(GaN)电子器件工厂,矿区占地55亩,总计投资10亿元。做到了面向5G打电话系统之艺术与产品的积淀,产品性能已通过国际第一流通讯企业之面试与认证。现阶段已可以提供6英寸、8英寸硅基氮化镓晶圆材料。

         

        2018 EDICON China展会上,能讯半导体推出了780 Dual-Path封装的大功率射频功放管及各个解决方案,满足基站客户高频、宽带、迅速的体系要求;尤其是效率高达60%的1.8GHz FDD Doherty 功放,领先同期主流LDMOS PA效率高达5% 上述。

         


        甘肃能华



        甘肃能华由国家“千人计划”大家朱廷刚院士创立,振兴8条6英寸以上的涵义片生产线和一枝完整的直径器件工艺生产线,重大生产以氮化镓为代表的复合半导体高性能晶圆及其功率器件、芯片和模块。

         

        2016年,甘肃能华参与了国家重要研发计划战略性先进电子材料重点专项,开展GaN基新型服务业电子器件关键技术项目。

         


        士兰微



        临沂士兰微电子股份股份公司坐落于西安高新技术产业开发区,是规范从事集成电路芯片设计以及半导体微电子相关产品生产的高新技术集团,店铺现在的要害产品是集成电路和半导体产品。

         

        2017年三季度士兰微打通了一枝6英寸的硅基氮化镓功率器件中试线。钻井之后士兰微会进一步增进这方面的艺术科研,店铺预计在未来1-2年内会有产品突破,能够有新产品尽快推到市场上。

         

        2018年10月,临沂士兰微电子股份有限公司厦门12英寸芯片生产线暨先进化合物半导体生产线正式开工。2017年12月,男子兰微电子与锡山市海沧区镇政府签署了《战略协作框架协议》。男子兰微电子公司与伦敦半导体投资集团股份公司共同投资220亿元人民币,在广州规划建设两枝12英寸90~65nm的性状工艺芯片(功率半导体芯片及MEMS探测器)时序和一枝4/6英寸兼容先进化合物半导体器件(先后三世功率半导体、荣誉通讯器件、高端LED芯片)时序。

         


        华功半导体



        甘肃华功半导体有限公司成立于2016年5月,在先后三世半导体行业拥有丰富的学者资源、可以的人才队伍、长远的艺术积累和增长的科学化经验。

         

        华功半导体的艺术团队以北京大学、人大以及合作之大学产业化企业为主干,副2012年开始合作推动硅基氮化镓功率电子产业化,现阶段已攻克了相关材料与器件的科学化重点技术。

         


        三安集成



        2018年11月,据纽约人民日报报道,历经4年多之振兴,特区、自治区重点项目三安集成电路(一个)基本完工,现阶段已小批量生产砷化镓、氮化镓和碳化硅产品,并陆续投用市场。重建的工序将积极布局国产化品牌的5G射频、荣誉通讯等世界芯片,名将在5G、现代化人驾驶及新能源汽车等世界。

         

        截至2018年10月,三安集成电路(一个)总计完成房地产投资24.1亿元,获得涵盖GaAs、GaN、SiC芯片及外延的工序,现有年产能9.6万片/年,达产后可形成36万片/年之电能规模。

         


        海威华芯



        海威华芯是国内首师提供六英�忌榛�镓/氮化镓微波集成电路的纯晶圆代工(FOUNDRY)劳务企业。2016年7月国家队国开本1.52亿元增资海威华芯,为半导体产业护航。海威华芯二股东四威电子为对方电科29 所旗下全资子公司,且海特高新已与29所签署了《战略协作意向书》,为企业合同订单 奠定基础。

         

        店铺在2017每年报中表示,海威华芯技术科研团队的砷化镓制程研发方面IPD和PPA25产线试生产阶段良率赶到预期水平,具备初步量产能力;氮化镓成功突破6英寸GaN晶圆键合技术;芯片产品开发方面,公用芯片、研制芯片、数字电路等开发设计超过120信用,包括空调器、功分器、开关矩阵、耦合器等产品。

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