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            功率半导体迎来新一轮发展机会
            来源: 天风证券 日期: 2019-4-22 浏览次数: 594

            来源:情节来自「天风证券」,谢谢。

            功率半导体器件是贯彻电能转换的主干器件。重大用途包括逆变、变频等。功率半导体可以根据载流子类型分为双极型功率半导体和单极型功率半导体。双极型功率半导体包括功率二极管、双极结型晶体管(BJT)、游乐业晶体管(GTR)、晶闸管、绝缘栅双极型晶体管(IGBT)等。单极型功率半导体包括功率MOSFET、肖特基势垒功率二极管等。它们的劳作电压和工作效率也有所不同。功率半导体器件广泛应用于消费电子、新能源交通、轨道交通、发电与配电等工业电子领域。贪污于5G及电动车需求之明显提高,咱对功率半导体的市场发展持乐观看法。

            1.2. 功率半导体市场布局

            国际厂商制造水平较高,已经形成了较高的正式壁垒。咱预计在2022年世界功率半导体市场规模将达426京瑞郎。在2015年世界功率半导体市场中,英飞凌以12%的上座率排名第一。欧美日厂商凭借其艺术和奖牌优势,占据了世界功率半导体器件市场之70%。地、蒙古地段主要集中在二极管、低压MOSFET等低端功率器件市场,IGBT、美方高压MOSFET等高端器件市场主要由欧美日厂商占据。

            咱主张功率半导体的土产代替空间。我国进行功率半导体的研究工作比较晚,且受到资金、艺术及人才的限制,功率半导体产业整体呈现出数量偏少、集团规模偏小、艺术水准偏低及产业布局分散的特色。原有创新问题成为阻碍国内功率半导体产业进步之重大因素。国际功率半导体厂商尚未形成专利和规范的垄断。相比之下国外生产商,境内厂商在劳动客户需求和降低成本等方面具有竞争劣势。咱觉得,功率半导体的土产代替空间十分广泛。

            1.2. 面包车电子点燃功率半导体市场

            新能源汽车为功率半导体带来了特大的增强潜力。新能源汽车是指采用非常规车用燃料作为动力源泉的出租汽车,如纯电动车、插电式混合动力汽车。咱预计在2020年我国新能源汽车保有量将达200万辆,比起增长53.8%。新能源汽车新增大量功率半导体器件的利用。2020年世界汽车功率半导体市场规模将达70京瑞郎。特斯拉model S车型使用的三相异步电机驱动,其中每一相的驱动控制都要求采取28颗IGBT芯片,三相共需要采取84颗IGBT芯片。

            我国农业部、税务总局联合颁发了公告:自2018年1月1日起至2020年12月31日,对购置的新能源汽车免征车辆购置税,勉励用户购买新能源汽车。咱觉得政策红利将全面带动市场对功率半导体的需要。

            2. IGBT――硅基功率半导体核心

            IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)构成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件。IGBT可以实现直流电和水电之间的转折或者变更电流的效率,有逆变和变相的图。

            在组织方面,IGBT比MOSFET多一层P+特区,穿越P层空穴的流入能够降低器件的导通电阻。随着电压的附加,MOSFET的导通电阻也变大,于是其传导损耗比较大,尤其是在高压应用场合中。外貌较而言,IGBT的导通电阻较小。

            IGBT多应用于高压领域,MOSFET重大采用在高频领域。副产品来看,IGBT普通应用在高压产品上,电压范围为600-6500V。MOSFET 的利用电压相对较低,副十几伏到1000V。但是,IGBT的劳作频率比MOSFET低许多。MOSFET的劳作效率可以达到1MHz上述,甚至几十MHz,而IGBT的劳作效率仅有100KHz。IGBT集中应用在逆变器、变频器等高压产品。而MOSFET重大采用在新石器、高频感应加热等高频产品。

            2.1. IGBT市场布局

            大地IGBT市场主要竞争者包括奥地利英飞凌、墨西哥三菱、富士电机、比利时安森美、几内亚ABB等,明天五大企业之市场份额超过70%。咱预计在2022年世界IGBT市场规模将达60京瑞郎,年产量空间巨大。室外生产商已研发出完善的IGBT产品系列。其中,仙童等企业在消费级IGBT世界处于守势地位。ABB、英飞凌和三菱电机在1700V上述的矿业级IGBT世界占据优势。在3300V上述电压等级的天地,英飞凌、ABB和三菱电机三师企业居垄断地位,代表着国际IGBT艺术之最高水平。

            国产追赶仍需时日。神州功率半导体市场占世界功率半导体市场份额的50%上述,但在我党高端MOSFET及IGBT器件中,90%依赖于进口。

            2.2. IGBT利用广泛,新能源车是主要下游增长引擎

            按电压分布来看,消费电子领域应用的IGBT产品要紧在600V以下,如数码相机闪光灯等。1200V上述的IGBT多用于农业设施、面包车电子、高铁及动车中。动车组常用的IGBT模块为3300V和6500V。智能电网使用的IGBT一般说来为3300V。

            2.2.1. 新能源汽车

            电机控制系统和充电桩是车用IGBT的要害增长点。游乐业驱动系统将电能转换为机械能,驱动电动汽车行驶,是左右全自动汽车最主要的有些。IGBT在农业驱动系统中属于逆变器模块,名将动力电池的水电逆变成交流电提供给驱动电动机。IGBT约占新能源汽车电机驱动系统及车载充电系统成本的40%,折合到整车上约占总成本的7~10%,伊性质直接决定了整车的水资源利用率。面包车半导体行业之认证周期长,专业非常严格。一头,面包车的公众消费属性使得他对IGBT的寿命要求比较高。一派,面包车面临着更为复杂的工况,要求频繁启停、爬坡涉水、经验不同路况和环境温度等,对IGBT是极为严格的考验。

            2.2.2. 轨道交通

            在高铁短时间内将时速从零提升到300埃之经过中,要求通过IGBT来确保牵引变流器及其它电动设备所要求的核电、电压精准可靠。IGBT在轨道交通领域已经实现了健全的产品化。

            2.2.3. 智能电网

            IGBT大规模应用于智能电网的发电端、输电端、变电端及用电端。副发电端来看,风力发电、光伏发电中的整流器和逆变器都要求采取IGBT模块。副输电端来看,特高压直流输电中FACTS服务性输电技术需要大量用到IGBT功率器件。副变电端来看,IGBT是工商电子变压的重中之重器件。副用电端来看,家用LED照耀等都对IGBT有恢宏之需要。

            3. 先后三世化合物半导体――背景普遍,资产变革

            3.1. SiC――高压器件领域的破局者

            SiC是第三世半导体材料的代表。以硅而言,现阶段Si MOSFET 利用多在1000V以下,约在600~900V之间,若超过1000V,伊芯片尺寸会很大,改装损耗、寄生电容也会上升。SiC器件相对于Si器件的攻势的处在于,降低能量损耗、更易实现四化和更耐高温。SiC功率器件的损耗是Si器件的50%控制。SiC重大用于实现电动车逆变器等驱动系统之少量轻化。

            英飞凌和科锐占据了世界SiC市场之70%。罗姆公司在本田的Clarity上搭载了SiC功率器件,Clarity是世界第一用Full SiC驱动的竹材电动车,鉴于具有高温下动作和低损耗等特征,可以缩小用于冷却的散热片,推而广之内部空间。丰田的竹材车MIRAI可以坐4个人,本田的Clarity贯彻了5人口座。

            2017年世界SiC功率半导体市场总额达3.99京瑞郎。试想到2023年市场总额将达16.44京瑞郎,年复合增长率26.6%。副应用来看,混合动力和纯电动汽车的兑换率最高,达81.4%。副产品来看,SiC JFETs的兑换率最高,达38.9%。副为全SiC功率模块,投票率达31.7%。

            政策支持力度大幅提升,推动第三世半导体产业弯道超车。江山和各地方政权持续推出政策和资产扶植资金支持第三世半导体发展。2018年7月国内首个《先后三世半导体电力电子技术路线图》专业宣布,谈起了中国第三世半导体电力电子技术之前进路子及产业建设。湖南省更是投入500京,建立专门的安芯本来建设第三世半导体产业集群。

            3.2. GaN――利用场景增多,迎来发展机会

            鉴于GaN的禁带宽度较大,运用GaN可以获得更大带宽、更大放大器增益、尺寸更小的半导体器件。GaN器件可以分为射频器件和金融业电子器件。GaN的射频器件包括PA、MIMO等面向基站卫星、雷达市场。游乐业电子器件产品包括SBD、FET等面向无线充电、能源开关等市场。

            英飞凌、安森美和意法半导体是全世界GaN市场之本行巨头。咱预计到2026年世界GaN功率器件市场规模将达到4.4京瑞郎,复合年增长率29.4%。前不久越来越多之营业所投入GaN的食物链。如初创公司EPC、GaN System、Transphorm等。它们大多选择台积电或X-FAB为代工伙伴。行业巨头如英飞雨、安森美和意法半导体等则采取IDM分立式。

            3.3. SiC VS GaN――各有擅长,利用驱动

            3.3.1. 基本特点

            SiC相当高压领域,GaN更适用于低压及高频领域。较大的禁带宽度使得器件的导通电阻 调减。较高的饱和迁移速度使得SiC、GaN都得以获得速度更快、面积更小的直径半导体器件。但两者一个重要的分别就是热导率,这使得在高功率应用中,SiC居统治地位。而GaN因为拥有更高的电子迁移率,能够获得更高的开关速度,在高频领域,GaN具备优势。SiC相当1200V上述的高压领域,而GaN更适用于40-1200V的高频领域。

            现阶段商业化SiC MOSFET的最高工作电压为1700V,工作温度为100-160℃,电流在65A以下。SiC MOSFET当今第一的产品有650V、900V、1200V和1700V。在2018年国际重大厂商推出的SiC新产品中,Cree生产的最新E铺天盖地SiC MOSFET是时下正式唯一通过汽车AEC-Q101认证,符合PPAP渴求的SiC MOSFET。

            现阶段商业化GaN HEMT的最高工作电压为650V,工作温度为25℃,电流在120A以下。GaN HEMT当今第一的产品有100V、600V和650V。 在2018年国际重大厂商推出的GaN 新产品中,GaN Systems的GaN E-HEMT铺天盖地产品实现了专业最高的核电等级,同时将系统之功率密度从20kW增强到了500kW。而EPC生产的GaN HEMT是他首款获得汽车AEC-Q101认证的GaN产品。伊体积远小于传统的Si MOSFET,且开关速度是Si MOSFET的10-100倍。

            现阶段商业化SiC功率模块的最高工作电压为3300V。2018年1月,三菱电机开发的全SiC功率模块通过SiC MOSFET和SIC SBD完全设计,贯彻了专业最高的功率密度(9.3kVA/cm3)。

            现阶段商业化GaN功率放大器的最高工作效率为31GHz。在2018年MACOM、Cree等企业陆续推出GaN MMIC PA无形化功率产品,面向基站、雷达等利用市场。

            3.3.2. 利用场景

            SiC重大采用在光伏逆变器(PV)、储能/电池充电、不间歇电源(UPS)、开关电源(SMPS)、银行业驱动器及医疗等市场。SiC可以用于实现电动车逆变器等驱动系统之少量轻化。

            手机快速充电占据功率GaN市场之最大份额。GaN应用于充电器时可以有效缩小产品的尺寸。现阶段市面上的GaN探测器支持USB快充,以27W、30W和45W功率居多。领先的本能手机制造商Apple也考虑将GaN艺术作为他无线充电解决方案,这有可能带来GaN功率器件市场之杀手级应用。

            5G利用临近,RF GaN市场快速发展。5G重大部署之频段是用于广域覆盖的sub-6-GHz和用于机场等高清晰度区域之20GHz上述频带。要想满足5G对于更高数据传输速率和低延迟的要求,要求GaN艺术来促成更高的对象频率。高输出功率、线性度和功耗要求也推动了基站部署之PA副LDMOS转移为GaN。此外,在5G的重中之重技术Massive MIMO美方,基站收发信机上使用了大量之阵列天线,这种结构需要相应的射频收发单元,因而射频器件的采取数量将举世瞩目增多。运用GaN的小尺寸和功率密度高的特色可以实现高度集成化的产品解决方案,如模块化射频前端器件。

            4. 新能源汽车驱动下的直径半导体市场供需及收费量空间测算

            咱根据功率半导体的车子价值量和中外新能源汽车的含量来推导新能源汽车所带来的直径半导体的市场需要。

            IGBT是新能源汽车电机控制系统的主干器件。特斯拉Model S车型使用的三相异步电机驱 动,其中每一相都要求采取28颗IGBT芯片,三相共需要采取84颗IGBT芯片。每颗的价位大约在4~5便士。咱预计IGBT的车子价值量大约在420便士左右。根据全球新能源汽车的含量能够推导出新能源汽车所带来的IGBT市场需要。

            SiC重大用于实现新能源汽车逆变器等驱动系统之少量轻化。2018年,特斯拉Model 3的逆变器采用了意法半导体制造的SiC MOSFET,每个逆变器包括了48个SiC MOSFET。Model 3的车身比Model S调减了20%。每个SiC MOSFET的价位大约在50便士左右。咱判断SiC的车子价值量大约在2500便士左右。

            GaN艺术在巴士中的应用才刚刚开始发展。EPC生产的GaN HEMT是他首款获得汽车AEC-Q101认证的GaN产品。GaN艺术可以提升效率、缩小尺寸及降低系统成本。该署良好的性质使得GaN的出租汽车应用来日可期。

            咱通过测算IGBT/SiC的新能源汽车市场供需量推测其总产值空间。贪污于新能源汽车需求 的明显提高,咱觉得IGBT的含量空间巨大。SiC市场可能会出现供不应求的情形。高资本是限制各国际厂商扩大SiC产能的重大因素。

            5. 天涯海角&境内功率半导体重要企业

            2017年世界功率分立器件和模块市场总额达186京瑞郎。其中,英飞凌以18.6%的市场份额排名第一。其次为安森美,先后三为意法半导体。

            2017年世界功率分立IGBT市场总额达11京瑞郎。其中,英飞凌以38.5%的市场份额排名第一,其次为富士电机。2017年世界功率分立MOSFET市场总额达66.5京瑞郎。其中,英飞凌以26.3%的市场份额排名第一。其次为安森美。

            2017年世界功率器件市场中恩智浦之营业收入排名第一。营业收入60.48亿元,利润14.47亿元,净利率0.24。英飞凌排名第二,营业收入55.26亿元,利润6.19亿元,净利率0.11。

            各功率器件厂商都有其突出之攻势产品。安森美是重要大汽车图像传感器企业。在中外ADAS市场中,安森美之图像传感器占据了70%的市场份额。微控制器和SoC是瑞萨电子的要害产品。瑞萨电子在中外微控制器市场中占据领先位置。面包车电子已经化为各功率器件厂商竞争之重大领域之一。

            5.1. 英飞凌(Infineon)

            5.1.1. 英飞凌介绍

            英飞凌建立于1999年,店铺在巴士、能源管理与多元市场、银行业功率控制及智能卡与安 全业务上为全世界提供产品和解决方案。英飞凌在法兰克福证券交易所(股票代码:IFX)和塔吉克斯坦柜台交易市场 OTCQX International Premier(股票代码:IFNNY)挂牌上市。

            根据英飞凌2017年财报,店铺2017财年营收55.26亿元,比起增长9.11%,利润6.18亿元,比起增长6.32%。15-17年公司净利率平均值为10.13%,ROE价值为14.84%。

            店铺的要害产品包括功率器件、探测器与射频器件和嵌入式控制器等。店铺收益结构中,功率器件贡献主要收入,营收37.57亿元,占比68%。店铺下游客户中,澳洲地段客户贡献主要收入,营收17.68亿元,占比32%。

            5.1.2. 英飞凌艺术优势及制品路线

            英飞凌推出了动用Trench艺术之CoolSiC?MOSFET铺天盖地产品。这种计划能够缓和平面沟道的电导率,控制性能与鲁棒性之间的题材。2018年11月,英飞凌将Sitectra的冷切割技术收入囊中。冷切割是一种高效的结晶材料加工工艺,能将材料损失降到最低。

            HybridPACK?是英飞凌推出的崭新功率模块系列,专为混合动力汽车应用设计。面包车应用往往要求更高的可靠性,于是英飞凌付出了逆导型IGBT。2018年3月,英飞凌与香港汽车宣布建立合资企业,为中华市场生产汽车级框架式IGBT模块。

            IPC(Industrial Power Control)和PMM(Power management&Multimarket)是英飞凌基本的事业部。其中,IPC的要害产品有分立和现代化IGBT。独立IGBT的电压工作局面在1200-1700V,模块IGBT重大办事在1200-6500V。PMM的要害产品有:高压MOSFET产品系列CoolMOSTM和美方低压产品系列OptiMOSTM。

            英飞凌以羽翼渐丰艺术加强核心市场,同时以新技术打开新兴市场。英飞凌通过三个策略加强功率半导体市场:1)延长SiC MOSFET和GaN MOSFET铺天盖地产品,并且扩大自有之突出之300mm晶圆生产。2)增长相邻领域的涌入,如数字功率控制模块的探测器算法等。3)增长在后来市场之研制,如电动汽车的充电桩等。

            英飞凌之CoolSiC?MOSFET铺天盖地产品组合将在未来几年延长。重在步是推出不同之拓扑结构,如Sixpack和Halfbridge,涵盖电源范围从2kW到200kW。

            英飞凌之CoolGaN?400V电子模式即将开发。2015年,英飞凌和松下达成协议,统一利用松下电器的常闭式(加强型)GaN晶体管结构和英飞凌之外表贴(SMD)封装的GaN器件,生产高能效的600V GaN功率器件。2018年6月,英飞凌颁发将于2018年根儿开始量产CoolGaN 400V和600V加强型HEMT。

            5.2. 安森美半导体(On Semiconductor)

            5.2.1. 安森美介绍

            安森美建立于1999年,店铺聚焦于汽车功能电子化、视觉和机关驾驶、车身和舒心、车载网络和自然资源管理等重要领域。安森美在孟加拉国纳斯达克上市,股票代码为ONNN。

            根据企业2017年财报,店铺2017年营收36.23亿元,比起增长41.88%。利润5.3亿元,比起增长345.19%。15-17年公司净利率平均值为8.4%,ROE价值为19.41%。

            店铺的要害产品包括能源和信号管理、独立及定制器件等。安森美是全世界重要大汽车图像传感器企业。在中外ADAS市场中,安森美之图像传感器占据了70%的市场份额。

            5.2.2. 安森美艺术优势及制品路线

            安森美之SiC艺术拥有独特之专利权终端结构,他提供更高的雪崩能量、核电界最高的非钳位感应开关(UIS)能力和压低的漏电流。安森美即将生产1200V SiC MOSFET和650V GaN MOSFET产品。安森美之MOSFET产品要紧集中在低压到对方压。

            安森美聚焦于汽车防盗器市场之休戚与共。安森美是首师为汽车市场提供专业图像传感器的营业所。安森美之产品具有低矿化度解析、拓宽动态范围等特征,可以直接满足到机关驾驶L5等级的需要。2017年安森美收购了IBM雷达设计中心,当今除了图像传感器以外,还可以提供包括Radar、Lidar在内的更为完整的青铜器融合方案。

            5.3. 罗姆(ROHM)

            5.3.1. 罗姆介绍

            罗姆建立于1958年,是全世界最著名的半导体厂商之一,支部设在阿富汗京都市。1983年罗姆在河内股票交易所上市,股票代码为6393。

            根据企业2018年财报,店铺2018财年营收23.45亿元,比起增长12.81%,利润2.2亿元,比起增长40.92%。15-18年公司净利率平均值为8.06%,ROE价值为4.09%。

            店铺的要害产品包括IC、独立半导体和模块等。店铺收益结构中,ICs孝敬主要收入,营收1.83京法郎,占比46.2%。副为分立半导体,营收1.5京法郎,占比37.8%。

            5.3.2. 罗姆艺术优势及制品路线

            双沟槽SiC MOSFET是罗姆之现实性产品。为了进一步回落功耗,罗姆变成世界首个开发出双沟槽结构SiC MOSFET并落实量产的营业所。罗姆通过他特殊之双沟槽结构,增强了门级之满意度,可以实现逆变器等电动汽车工业驱动系统之厉行节约。与IGBT相比之下,罗姆新一代SiC MOSFET的开关损耗降低了73%。此外,罗姆还开发出了兼备业界顶级低传导损耗和高开关特性的650V耐压IGBT“RGTV铺天盖地(短路耐受能力保持版)”和“RGW铺天盖地(很快开关版)”。

            罗姆主要专注汽车和汽车业市场。消费电子是罗姆最大的利用市场,占总营收的57%。因而罗姆期待增加汽车等其他领域的涌入。罗姆在巴士领域的重要是动力传动系统、车身、ADAS的模拟功率产品。在农业领域则第一提高工厂自动化、水资源和基础设施。

            5.4. 闻泰科技

            闻泰科技,建立于1993年,1996年8月在苏州证券交易所挂牌上市,证券代码为600745。店铺的要害工作为移动终端、智能硬件等产品的研制和制造。闻泰之要害产品包括智能手机、笔记本电脑、任何硬件等。

            收购安世半导体布局汽车领域。安世半导体前身为NXP的规范产品部门,2017年被国内资本收购,这也是华夏半导体产业史上最大的一起海外并购案。在巴士领域,安世之终极厂商包括宝马、玛莎拉蒂等国际一线品牌。本次收购可以扩大安世在消费电子市场中的份额。

            根据企业2017年财报,店铺2017财年营收169.16亿元,比起增长26.08%,利润3.35亿元,比起增长74.48%。2017年公司毛利率8.98%,净利率1.98%。

            安世半导体的官方低压MOSFET大地领先。安世半导体的要害产品包括分立器件、逻辑器件和MOSFET器件。在巴士领域,安世之要害客户包括博世、比亚迪等;在运动及可穿戴设备领域,有苹果、谷歌、三星、华为、小米等;在消费领域,有大疆、戴森、LG等。

            5.5. 路基股份

            路基股份,建立于2004年,2010年1月在佛罗里达证券交易所挂牌上市,证券代码为300046。店铺专注于大功率晶闸管及模块的研制,是我国领先的大功率半导体器件供应商。

            店铺股权结构中,重在大股东为成都新仪元半导体有限责任公司,持股比例30.02%。

            根据企业2017年财报,店铺2017财年营收2.79亿元,比起增长15.10%,利润0.53亿元,比起增长35.90%。店铺收益结构中,晶闸管贡献主要收入,占比51.83%。副为知识类作品,占比25.84%。

            新能源汽车市场兴起,店铺开展深度收益。路基股份的要害产品包括大功率晶闸管、大功率半导体模块、功率半导体组件等。现阶段公司已形成年产280万只大功率晶闸管的力量。店铺将主要开发新型IGBT模块和IGCT等现代化器件,同时跟踪以SiC和GaN为代表的程序三代宽禁带半导体器件。

            采访基金拟用于新型高功率半导体器件产业升级项目。为了提升公司的盈余能力和骨干竞争力,店铺正在筹划非公发行股票事项。其中,品种包含建设月产4万只IGBT模块(兼容MOSFET等)的封测线,兼容月产1.5万只SiC等宽禁带半导体功率器件的封测。此外,店铺拟出资10000万元在北京市亦庄经济开发区投资举办全资子公司北京路基半导体有限公司,多极化企业的产品结构和工作规模,制造新的业务增长点。

            5.6. 扬杰科技

            扬杰科技,建立于2006年, 2014年1月在佛罗里达证券交易所挂牌交易,股票代码为300373。店铺的主营业务, 是功率二极管、整流桥等电子元器件的研制、制造和行销。现阶段扬杰获得3、4、5、6寸晶圆厂,且8寸晶圆厂已在计划中。

            根据企业2017年财报,店铺2017财年营收14.70亿元,比起增长23.47%,利润2.67亿元,比起增长32.18%。扬杰通过IDM分立式控制成本,致富指标领先市场。2017年公司毛利率达35.58%,净利率18.20%。店铺收益结构中,功率半导体器件贡献主要收入,占比39.73%。

            进行下游应用工作,增强核心竞争力。扬杰科技之要害产品包括半导体功率器件、功率二极管、整流桥等。店铺立足于消费电子、安防、光伏领域,大力进行汽车电子、银行业变频等高端市场。

            5.7. 士兰微

            士兰微,建立于1997年,2003年3月在苏州证券交易所挂牌上市,股票代码为600460。店铺第一从事电子元器件的宏图、制造与销售。店铺依靠IDM分立式提升产品品质、增强控制成本,向用户提供差异性的产品与服务,大幅度地增强了成品的渗透率。

            根据企业2018年财报,店铺2018财年营收30.26亿元,比起增长10.36%,利润0.74亿元,比起增长-28.16%。16-18年公司的增长率平均值为22.28%,净利率平均值为3.35%。

            特色工艺平台支撑半导体功率器件的研制。在工艺平台方面,店铺依托于已稳定运行的5、6寸芯片生产线和已顺利投产的8寸芯片生产线,陆续形成了超薄片槽栅IGBT、超结高压MOSFET、高清晰度沟槽栅MOSFET等功率器件的研制。

            后续扩充产能,店铺进入迅猛成长期。在2017年12月,士兰微与锡山市海沧政府签署了战略性协作协议。根据协议,该项目总投资220亿元,意志海沧区建设两枝12寸特色工艺晶圆生产线,及一枝先进化合物半导体器件生产线。

            *免责声明:本文由作者原创。文章内容系作者个人看法,半导体行业观察转载仅为了传达一种不同之眼光,不代表半导体行业观察对该观点赞同或支持,如果有其他异议,迎接联系半导体行业观察。

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